창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT51M50J | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Power Products Catalog APT51M50J | |
카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 51A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 37A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 290nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 480W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | APT51M50JMI APT51M50JMI-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT51M50J | |
관련 링크 | APT51, APT51M50J 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ESMG101ETD470MJC5S | 47µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | ESMG101ETD470MJC5S.pdf | |
![]() | RL824-332K-RC | 3.3mH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 4 Ohm Max Radial | RL824-332K-RC.pdf | |
![]() | XYUBO-4*1W-30MM-WZ | XYUBO-4*1W-30MM-WZ ORIGINAL SMD or Through Hole | XYUBO-4*1W-30MM-WZ.pdf | |
![]() | T1142NLT | T1142NLT PULSE SO-40 | T1142NLT.pdf | |
![]() | PST8420UR | PST8420UR MITSUMI SMD or Through Hole | PST8420UR.pdf | |
![]() | APD3224SEC-F01 | APD3224SEC-F01 ORIGINAL SMD | APD3224SEC-F01.pdf | |
![]() | GN2000 | GN2000 ORIGINAL SMD or Through Hole | GN2000.pdf | |
![]() | ICS9DB801CGLFT | ICS9DB801CGLFT IDT SMD or Through Hole | ICS9DB801CGLFT.pdf | |
![]() | G8S-2F-5VDC | G8S-2F-5VDC OMRON SMD | G8S-2F-5VDC.pdf | |
![]() | 2N5587 | 2N5587 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N5587.pdf | |
![]() | BCW60RB | BCW60RB ORIGINAL SMD | BCW60RB.pdf | |
![]() | UA734HM | UA734HM SFC CAN | UA734HM.pdf |