창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT50M75JLLU3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT50M75JLLU3 Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 51A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 25.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 123nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5590pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 290W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT50M75JLLU3 | |
| 관련 링크 | APT50M7, APT50M75JLLU3 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CDBA3100-HF | DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC | CDBA3100-HF.pdf | |
![]() | CSTCC4M09G56-R0 | CSTCC4M09G56-R0 muRata 2 6 | CSTCC4M09G56-R0.pdf | |
![]() | M83AG | M83AG NSC DIP | M83AG.pdf | |
![]() | MSC2205 | MSC2205 ORIGINAL QFN | MSC2205.pdf | |
![]() | ABB 293 | ABB 293 ORIGINAL TO-89 | ABB 293.pdf | |
![]() | UN221LTX | UN221LTX mat SMD or Through Hole | UN221LTX.pdf | |
![]() | MAX1963ETT | MAX1963ETT MAX 6TQFN | MAX1963ETT.pdf | |
![]() | 2N2905AJTX | 2N2905AJTX Motorola SMD or Through Hole | 2N2905AJTX.pdf | |
![]() | RN55D4753F | RN55D4753F vi/dealliedeleccom/catalog/catalogpage PBFREE-D2r29l6r1L82r | RN55D4753F.pdf | |
![]() | MG80C186-12 5962-8850102ZA | MG80C186-12 5962-8850102ZA INTEL SMD or Through Hole | MG80C186-12 5962-8850102ZA.pdf | |
![]() | UWP1HR47MCR1GB | UWP1HR47MCR1GB Nichicon SMD | UWP1HR47MCR1GB.pdf | |
![]() | HM514256ALJP-12 | HM514256ALJP-12 HIT SOJ | HM514256ALJP-12.pdf |