창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT5010JVRU2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT5010JVRU2 Power Products Catalog | |
카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 22A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 312nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7410pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 450W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | APT5010JVRU2MI APT5010JVRU2MI-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT5010JVRU2 | |
관련 링크 | APT5010, APT5010JVRU2 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 1812WA101KAT1A | 100pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812WA101KAT1A.pdf | |
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![]() | H8147RDZA | RES 147 OHM 1/4W 0.5% AXIAL | H8147RDZA.pdf | |
![]() | 27SF010 | 27SF010 SST PLCC | 27SF010.pdf | |
![]() | YC164 J 47K | YC164 J 47K ORIGINAL SMD or Through Hole | YC164 J 47K.pdf | |
![]() | MB652542UPF-G-BND | MB652542UPF-G-BND FUJITSU QFP | MB652542UPF-G-BND.pdf | |
![]() | CS9805AGP | CS9805AGP SAMSUNG DIP20 | CS9805AGP.pdf | |
![]() | MAX6532AETK | MAX6532AETK MAXIM QFN | MAX6532AETK.pdf | |
![]() | GRP1555C1H6R2CZ01E | GRP1555C1H6R2CZ01E MURATA SMD or Through Hole | GRP1555C1H6R2CZ01E.pdf | |
![]() | HCN1E680MB12 | HCN1E680MB12 HICON/HIT DIP | HCN1E680MB12.pdf |