창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT5010JVRU2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT5010JVRU2 Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 312nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7410pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 450W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT5010JVRU2MI APT5010JVRU2MI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT5010JVRU2 | |
| 관련 링크 | APT5010, APT5010JVRU2 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CDV30EJ750GO3F | MICA | CDV30EJ750GO3F.pdf | |
![]() | BYW32-TR | DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | BYW32-TR.pdf | |
![]() | OS-NA40-6 | SLIT MASK FOR NA40-6 | OS-NA40-6.pdf | |
![]() | C102MR | C102MR MARUWA SMD or Through Hole | C102MR.pdf | |
![]() | FA3L4Z-T1 | FA3L4Z-T1 NEC SOT-23 | FA3L4Z-T1.pdf | |
![]() | AASR | AASR ORIGINAL 6SOT-23 | AASR.pdf | |
![]() | 1210J1000224KXT | 1210J1000224KXT SYFER 1210-224K | 1210J1000224KXT.pdf | |
![]() | HC95288 HQ208 15I | HC95288 HQ208 15I XILINX QFP-208L | HC95288 HQ208 15I.pdf | |
![]() | RJC5443056/47 | RJC5443056/47 MAJOR SMD or Through Hole | RJC5443056/47.pdf | |
![]() | TEA1713T/N1+518 | TEA1713T/N1+518 NXP SO-24 | TEA1713T/N1+518.pdf | |
![]() | SPA-F-7300-844 | SPA-F-7300-844 NEC-NACL ZIP-11 | SPA-F-7300-844.pdf | |
![]() | B3B-ZR-SM4-TFT | B3B-ZR-SM4-TFT JST SMD or Through Hole | B3B-ZR-SM4-TFT.pdf |