홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » APT5010JVRU2

Microsemi Corporation APT5010JVRU2

APT5010JVRU2
제조업체 부품 번호
APT5010JVRU2
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
데이터 시트 다운로드
다운로드
APT5010JVRU2 가격 및 조달

가능 수량

8740 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 36,373.06640
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 APT5010JVRU2 재고가 있습니다. 우리는 Microsemi Corporation 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Microsemi Corporation 전자 부품 전문. APT5010JVRU2 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. APT5010JVRU2가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
APT5010JVRU2 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
APT5010JVRU2 매개 변수
내부 부품 번호EIS-APT5010JVRU2
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서APT5010JVRU2
Power Products Catalog
카탈로그 페이지 1629 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Microsemi Corporation
계열-
포장벌크
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)500V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C44A
Rds On(최대) @ Id, Vgs100m옴 @ 22A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 2.5mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs312nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds7410pF @ 25V
전력 - 최대450W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스SOT-227-4, miniBLOC
공급 장치 패키지SOT-227
표준 포장 1
다른 이름APT5010JVRU2MI
APT5010JVRU2MI-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)APT5010JVRU2
관련 링크APT5010, APT5010JVRU2 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통
APT5010JVRU2 의 관련 제품
0.047µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) CGJ5H2C0G1H473J115AA.pdf
FUSE SQ 700A 700VAC RECTANGULAR 170M4617.pdf
M34351M8-522SP MIT DIP M34351M8-522SP.pdf
V23026-A1001-B201-5V ORIGINAL SMD or Through Hole V23026-A1001-B201-5V.pdf
U0603C820JNT OVERSEAS SMD or Through Hole U0603C820JNT.pdf
E23L61D PHI SMD or Through Hole E23L61D.pdf
LTC1998CS6(IS6) LT SOT23 LTC1998CS6(IS6).pdf
TEESVJ0106M8R NEC SMD or Through Hole TEESVJ0106M8R.pdf
LC78681 SANYO SMD or Through Hole LC78681.pdf
HG4-DC12V NAIS SMD or Through Hole HG4-DC12V.pdf