창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT5010B2LLG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT5010(B2,L)LL Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 7® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 23A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4360pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 520W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
| 공급 장치 패키지 | T-MAX™ [B2] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT5010B2LLG | |
| 관련 링크 | APT5010, APT5010B2LLG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SS6P4CHM3/87A | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO277A | SS6P4CHM3/87A.pdf | |
![]() | CRCW0402110KJNTD | RES SMD 110K OHM 5% 1/16W 0402 | CRCW0402110KJNTD.pdf | |
![]() | TEMSVB1C685M12R | TEMSVB1C685M12R NEC SMD or Through Hole | TEMSVB1C685M12R.pdf | |
![]() | VDUGCD-19.440MHZ | VDUGCD-19.440MHZ VECTRON ORIGINAL | VDUGCD-19.440MHZ.pdf | |
![]() | RP103Q291D-TR-F | RP103Q291D-TR-F RICOH SC-82AB | RP103Q291D-TR-F.pdf | |
![]() | ESMH451VRT821MB63T | ESMH451VRT821MB63T UCC SMD or Through Hole | ESMH451VRT821MB63T.pdf | |
![]() | LMUN5315DW1T1G | LMUN5315DW1T1G LRC SMD or Through Hole | LMUN5315DW1T1G.pdf | |
![]() | MAX8213ACSE+T | MAX8213ACSE+T MAXIM SOP16 | MAX8213ACSE+T.pdf | |
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![]() | IS66WV25632ALL-70BLI | IS66WV25632ALL-70BLI ISSI BGA48 | IS66WV25632ALL-70BLI.pdf | |
![]() | JC0G226M04006 | JC0G226M04006 SAMWHA SMD or Through Hole | JC0G226M04006.pdf |