창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT47N60SC3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT47N60(B,S)C3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 2.7mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 260nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7015pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 417W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | D3 [S] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT47N60SC3G | |
| 관련 링크 | APT47N6, APT47N60SC3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 1SMB6.5AT3G | TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC SMB | 1SMB6.5AT3G.pdf | |
![]() | ERJ-PA3J164V | RES SMD 160K OHM 5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3J164V.pdf | |
![]() | CMF55R10000GNRE | RES 0.1 OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF55R10000GNRE.pdf | |
![]() | R3111Q251C-TR-FA PBF | R3111Q251C-TR-FA PBF ON SMD or Through Hole | R3111Q251C-TR-FA PBF.pdf | |
![]() | MP223EI | MP223EI TI TSSOP | MP223EI.pdf | |
![]() | LNK521P | LNK521P POWER DIP-7L | LNK521P.pdf | |
![]() | MEA2010LD120T | MEA2010LD120T TDK SMD or Through Hole | MEA2010LD120T.pdf | |
![]() | HI1177JCQ-T | HI1177JCQ-T INTERSIL SMD or Through Hole | HI1177JCQ-T.pdf | |
![]() | SG1K684M05011 | SG1K684M05011 SAMWH DIP | SG1K684M05011.pdf | |
![]() | ZAG2210-11-P | ZAG2210-11-P TDK SMD or Through Hole | ZAG2210-11-P.pdf | |
![]() | EL8201BK | EL8201BK ELANTEC SOP8 | EL8201BK.pdf | |
![]() | SSF1030B | SSF1030B single SMD or Through Hole | SSF1030B.pdf |