창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT45M100J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT45M100J Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 33A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 570nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 18500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 960W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT45M100JMI APT45M100JMI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT45M100J | |
| 관련 링크 | APT45M, APT45M100J 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0335C1H7R9DD01D | 7.9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H7R9DD01D.pdf | |
![]() | RCL06121K80FKEA | RES SMD 1.8K OHM 1/2W 1206 WIDE | RCL06121K80FKEA.pdf | |
![]() | H8130KBYA | RES 130K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8130KBYA.pdf | |
![]() | TZ8837 | TZ8837 TZ SOP14 | TZ8837.pdf | |
![]() | KPTB-1612ESGC-F01 | KPTB-1612ESGC-F01 Kingbright SMD or Through Hole | KPTB-1612ESGC-F01.pdf | |
![]() | ZN0201500461 | ZN0201500461 AMPHENOL SMD or Through Hole | ZN0201500461.pdf | |
![]() | A1-40PA-2.54DSA 71 | A1-40PA-2.54DSA 71 HRS SMD or Through Hole | A1-40PA-2.54DSA 71.pdf | |
![]() | SC0148-20 | SC0148-20 ON/MOT DIP14 | SC0148-20.pdf | |
![]() | OP12GZ/EZ/FZ | OP12GZ/EZ/FZ PMI DIP-8 | OP12GZ/EZ/FZ.pdf | |
![]() | K4S641632E-TC80 | K4S641632E-TC80 SAMSUNG TSOP54 | K4S641632E-TC80.pdf | |
![]() | AM29LV800DT-70SC | AM29LV800DT-70SC AMD SOP44 | AM29LV800DT-70SC.pdf | |
![]() | CSTCE18M4V53Z-R0 | CSTCE18M4V53Z-R0 MURATA SMD | CSTCE18M4V53Z-R0.pdf |