창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT45GP120B2DQ2G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT45GP120B2DQ2(G) | |
| 카탈로그 페이지 | 1628 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 7® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | PT | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 113A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 170A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A | |
| 전력 - 최대 | 625W | |
| 스위칭 에너지 | 900µJ(켜기), 905µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 185nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 18ns/100ns | |
| 테스트 조건 | 600V, 45A, 5 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | APT45GP120B2DQ2GMI APT45GP120B2DQ2GMI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT45GP120B2DQ2G | |
| 관련 링크 | APT45GP12, APT45GP120B2DQ2G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 2510-08J | 220nH Unshielded Inductor 635mA 260 mOhm Max 2-SMD | 2510-08J.pdf | |
![]() | RM2012A-103/203-PBVW10 | RES NETWORK 2 RES MULT OHM 0805 | RM2012A-103/203-PBVW10.pdf | |
![]() | A72SQ1680AA0-K | A72SQ1680AA0-K KEMET Axial | A72SQ1680AA0-K.pdf | |
![]() | U74LVC2G1240 | U74LVC2G1240 ORIGINAL SMD or Through Hole | U74LVC2G1240.pdf | |
![]() | ICS9158-04B | ICS9158-04B ICS SOP24W | ICS9158-04B.pdf | |
![]() | LQW15AN3N6D00D | LQW15AN3N6D00D MURATA SMD or Through Hole | LQW15AN3N6D00D.pdf | |
![]() | E28F128J3C150 | E28F128J3C150 INTEL TSOP56 | E28F128J3C150.pdf | |
![]() | LRS1887B | LRS1887B SHARP BGA | LRS1887B.pdf | |
![]() | S44238 | S44238 AMS DIP-16 | S44238.pdf | |
![]() | NE72218-T1B | NE72218-T1B NEC SOT-343 | NE72218-T1B.pdf | |
![]() | K7A323630M-PC20 | K7A323630M-PC20 SAMSUNG SMD or Through Hole | K7A323630M-PC20.pdf | |
![]() | USP2101Y | USP2101Y BB QFP | USP2101Y.pdf |