창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT45GP120B2DQ2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT45GP120B2DQ2(G) | |
카탈로그 페이지 | 1628 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | POWER MOS 7® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | PT | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 113A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 170A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A | |
전력 - 최대 | 625W | |
스위칭 에너지 | 900µJ(켜기), 905µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 185nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 18ns/100ns | |
테스트 조건 | 600V, 45A, 5 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | * | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | APT45GP120B2DQ2GMI APT45GP120B2DQ2GMI-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT45GP120B2DQ2G | |
관련 링크 | APT45GP12, APT45GP120B2DQ2G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | RMCF0201FT511R | RES SMD 511 OHM 1% 1/20W 0201 | RMCF0201FT511R.pdf | |
![]() | CRCW25123R65FNTG | RES SMD 3.65 OHM 1% 1W 2512 | CRCW25123R65FNTG.pdf | |
![]() | MS3AB03G03 | MS3AB03G03 ORIGINAL QFP54 | MS3AB03G03.pdf | |
![]() | VSCPH3105-TL-E | VSCPH3105-TL-E ORIGINAL SMD or Through Hole | VSCPH3105-TL-E.pdf | |
![]() | SY100M0270B5S-1335 | SY100M0270B5S-1335 YAGEO DIP | SY100M0270B5S-1335.pdf | |
![]() | TMSC136C084PZ | TMSC136C084PZ TIBB QFP | TMSC136C084PZ.pdf | |
![]() | FDB13AN06A0-NL | FDB13AN06A0-NL FAIRCHILD SMD or Through Hole | FDB13AN06A0-NL.pdf | |
![]() | Y5926 | Y5926 SAMSUNG QFP100L | Y5926.pdf | |
![]() | TC74ACT32BFN | TC74ACT32BFN TOS/SOP. SMD or Through Hole | TC74ACT32BFN.pdf | |
![]() | 98FX9210A-BCN | 98FX9210A-BCN ORIGINAL SMD or Through Hole | 98FX9210A-BCN.pdf | |
![]() | MOC8102M | MOC8102M FSC DIP-6 | MOC8102M.pdf | |
![]() | L59BL/EGW | L59BL/EGW KINGBRIGHT ORIGINAL | L59BL/EGW.pdf |