창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT40M70JVFR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT40M70JVFR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS V® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 53A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 26.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 495nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8890pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 450W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT40M70JVFR | |
| 관련 링크 | APT40M7, APT40M70JVFR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D910JLBAJ | 91pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D910JLBAJ.pdf | |
![]() | 74437334100 | 10µH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 199 mOhm Max 2-SMD | 74437334100.pdf | |
![]() | CMF55755R00JKEA | RES 755 OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF55755R00JKEA.pdf | |
![]() | CMF501K0000FKRE | RES 1K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF501K0000FKRE.pdf | |
![]() | PNS180JT-73-33R | RES 33 OHM 1.8W 5% AXIAL | PNS180JT-73-33R.pdf | |
![]() | CPR03R1500JE31 | RES 0.15 OHM 3W 5% RADIAL | CPR03R1500JE31.pdf | |
![]() | HER208-AP | HER208-AP MCC SMD or Through Hole | HER208-AP.pdf | |
![]() | NC104R-S2R5N | NC104R-S2R5N ORIGINAL SMD or Through Hole | NC104R-S2R5N.pdf | |
![]() | IDT23S05-1HDCI | IDT23S05-1HDCI IDT SMD or Through Hole | IDT23S05-1HDCI.pdf | |
![]() | TA79L21F | TA79L21F TOSHIBA SOT-89 | TA79L21F.pdf | |
![]() | D70216GF | D70216GF NEC QFP | D70216GF.pdf |