창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT40GP60BG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT40GP60(B,S) | |
| 카탈로그 페이지 | 1628 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 7® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| IGBT 유형 | PT | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 160A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A | |
| 전력 - 최대 | 543W | |
| 스위칭 에너지 | 385µJ(켜기), 352µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 135nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 20ns/64ns | |
| 테스트 조건 | 400V, 40A, 5 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT40GP60BGMI APT40GP60BGMI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT40GP60BG | |
| 관련 링크 | APT40G, APT40GP60BG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 9C16000141 | 16MHz ±20ppm 수정 16pF -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C16000141.pdf | |
![]() | BZV55-C36,115 | DIODE ZENER 36V 500MW SOD80C | BZV55-C36,115.pdf | |
![]() | RG1608N-821-B-T5 | RES SMD 820 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608N-821-B-T5.pdf | |
![]() | 1326I | 1326I LINEAR SMD or Through Hole | 1326I.pdf | |
![]() | 48099-5702 | 48099-5702 MOLEX SMD or Through Hole | 48099-5702.pdf | |
![]() | MLG0402S5N1ST | MLG0402S5N1ST TDK SMD | MLG0402S5N1ST.pdf | |
![]() | SP3070E | SP3070E Sipex SOP | SP3070E.pdf | |
![]() | BS616LV1626TI-70 | BS616LV1626TI-70 BSI TSOP | BS616LV1626TI-70.pdf | |
![]() | 100AWSP5T2B4M7RE | 100AWSP5T2B4M7RE E-Switch SMD or Through Hole | 100AWSP5T2B4M7RE.pdf | |
![]() | 9B18400236 | 9B18400236 TXC SMD or Through Hole | 9B18400236.pdf | |
![]() | BC847PNE6327XT | BC847PNE6327XT INFINEONTECH SMD or Through Hole | BC847PNE6327XT.pdf | |
![]() | HY5MS5B2ALF | HY5MS5B2ALF HYNIX 90FBGA | HY5MS5B2ALF.pdf |