창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT39M60J | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT39M60J Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | POWER MOS 8™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 28A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 280nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 480W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT39M60J | |
관련 링크 | APT39, APT39M60J 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SIT8208AI-81-33E-40.000000Y | OSC XO 3.3V 40MHZ OE | SIT8208AI-81-33E-40.000000Y.pdf | |
![]() | IRG4BC20SD-S | IRG4BC20SD-S IR D2-PAK | IRG4BC20SD-S.pdf | |
![]() | 10V 10UF P | 10V 10UF P ORIGINAL SMD or Through Hole | 10V 10UF P.pdf | |
![]() | MTY25N60ECX | MTY25N60ECX ORIGINAL 3PL | MTY25N60ECX.pdf | |
![]() | 15S05Y3-N1 | 15S05Y3-N1 ANSJ SIP | 15S05Y3-N1.pdf | |
![]() | CE8301E50P | CE8301E50P CHIPOWER SMD or Through Hole | CE8301E50P.pdf | |
![]() | IRF7700TRPBF | IRF7700TRPBF IR TSSOP-8 | IRF7700TRPBF.pdf | |
![]() | M33990DR2G | M33990DR2G ON DIP24 | M33990DR2G.pdf | |
![]() | TMP47C837N-U414 | TMP47C837N-U414 TOS SMD or Through Hole | TMP47C837N-U414.pdf | |
![]() | DS85450H | DS85450H HP SMD or Through Hole | DS85450H.pdf | |
![]() | 200x120 | 200x120 zd SMD or Through Hole | 200x120.pdf |