창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT36N90BC3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT36N90BC3G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 2.9mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 252nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7463pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 390W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT36N90BC3G | |
관련 링크 | APT36N9, APT36N90BC3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
EM9211DR | EM9211DR EM DIP | EM9211DR.pdf | ||
QMV753AZ5 | QMV753AZ5 NSC PLCC28 | QMV753AZ5.pdf | ||
50WQ06 | 50WQ06 IR TO-252 | 50WQ06.pdf | ||
LT1317I | LT1317I LT SMD or Through Hole | LT1317I.pdf | ||
REG101NA28250 | REG101NA28250 TI/BB SMD or Through Hole | REG101NA28250.pdf | ||
20H05000-06M | 20H05000-06M TAITECH 0402- | 20H05000-06M.pdf | ||
TC4SU11F/C7 | TC4SU11F/C7 TOS SOT-163 | TC4SU11F/C7.pdf | ||
CM551B | CM551B ORIGINAL SMD-16 | CM551B.pdf | ||
RC0805J3KY | RC0805J3KY ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0805J3KY.pdf | ||
C-001R 32.768K 12. | C-001R 32.768K 12. EPSON SMD or Through Hole | C-001R 32.768K 12..pdf | ||
SWI0402F-5N1SPR | SWI0402F-5N1SPR TAI-TECH SMD | SWI0402F-5N1SPR.pdf | ||
UPD28C04G-20-E2 | UPD28C04G-20-E2 NEC SOP | UPD28C04G-20-E2.pdf |