창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT36N90BC3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT36N90BC3G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 2.9mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 252nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7463pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 390W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT36N90BC3G | |
| 관련 링크 | APT36N9, APT36N90BC3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 9B-12.288MBBK-B | 12.288MHz ±50ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | 9B-12.288MBBK-B.pdf | |
![]() | 1N5343E3/TR8 | DIODE ZENER 7.5V 5W T18 | 1N5343E3/TR8.pdf | |
![]() | CDR10D48MNNP-6R6NC | 6.6µH Shielded Inductor 5.7A 22.5 mOhm Max Nonstandard | CDR10D48MNNP-6R6NC.pdf | |
![]() | TNPW2512383KBEEY | RES SMD 383K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512383KBEEY.pdf | |
![]() | EDR201A1200 | EDR201A1200 EGE SMD or Through Hole | EDR201A1200.pdf | |
![]() | 48010TOAB38KY-DB | 48010TOAB38KY-DB ORIGINAL QFP | 48010TOAB38KY-DB.pdf | |
![]() | 35336-0410 | 35336-0410 MOLEX SMD or Through Hole | 35336-0410.pdf | |
![]() | MB8AA5024RB-GS | MB8AA5024RB-GS FUJI CPGA | MB8AA5024RB-GS.pdf | |
![]() | KQ1008TE R47J | KQ1008TE R47J AUK NA | KQ1008TE R47J.pdf | |
![]() | H9701#H59 | H9701#H59 AVAGO ZIPER4 | H9701#H59.pdf | |
![]() | 39026024 | 39026024 Molex SMD or Through Hole | 39026024.pdf | |
![]() | EFCH9017MTY1 | EFCH9017MTY1 PAN 44-6P | EFCH9017MTY1.pdf |