창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT35GP120B2DQ2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT35GP120B2DQ2(G) Power Products Catalog | |
카탈로그 페이지 | 1628 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | POWER MOS 7® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | PT | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 96A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 140A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A | |
전력 - 최대 | 543W | |
스위칭 에너지 | 750µJ(켜기), 680µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 150nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 16ns/95ns | |
테스트 조건 | 600V, 35A, 4.3 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | * | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | APT35GP120B2DQ2GMI APT35GP120B2DQ2GMI-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT35GP120B2DQ2G | |
관련 링크 | APT35GP12, APT35GP120B2DQ2G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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