Microsemi Corporation APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G
제조업체 부품 번호
APT34N80B2C3G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
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내부 부품 번호EIS-APT34N80B2C3G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서APT34N80(B2,L)C3
Power Products Catalog
카탈로그 페이지 1629 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Microsemi Corporation
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)800V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C34A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs145m옴 @ 22A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.9V @ 2mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs355nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4510pF @ 25V
전력 - 최대417W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-247-3 변형
공급 장치 패키지T-MAX™ [B2]
표준 포장 1
다른 이름APT34N80B2C3GMI
APT34N80B2C3GMI-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)APT34N80B2C3G
관련 링크APT34N8, APT34N80B2C3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통
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