창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT34M60B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT34M60(B,S) Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 165nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6640pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 624W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT34M60B | |
| 관련 링크 | APT34, APT34M60B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | LQW15AN5N8C00D | 5.8nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 120 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN5N8C00D.pdf | |
![]() | CMF5076R800DHR6 | RES 76.8 OHM 1/4W .5% AXIAL | CMF5076R800DHR6.pdf | |
![]() | E2S-W16 1M | Inductive Proximity Sensor 0.063" (1.6mm) IP67 Module | E2S-W16 1M.pdf | |
![]() | XV-3500CB50.300000 | XV-3500CB50.300000 EPSON QFN | XV-3500CB50.300000.pdf | |
![]() | T4116D | T4116D MOTOROLA SMD or Through Hole | T4116D.pdf | |
![]() | 4071BMJ883QS | 4071BMJ883QS nsc 25tubedip14 | 4071BMJ883QS.pdf | |
![]() | GSCT38318PG | GSCT38318PG MOTOROLA PLCC | GSCT38318PG.pdf | |
![]() | MUR820/U820 | MUR820/U820 ON TO-220 | MUR820/U820.pdf | |
![]() | M29F102B-70KL | M29F102B-70KL ST PLCC44 | M29F102B-70KL.pdf | |
![]() | SDR0604TTEB150Y | SDR0604TTEB150Y KOA SMD | SDR0604TTEB150Y.pdf | |
![]() | KR-T-01 | KR-T-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | KR-T-01.pdf | |
![]() | TLV4111CDGNG4(AHN) | TLV4111CDGNG4(AHN) TI/BB MOSP | TLV4111CDGNG4(AHN).pdf |