창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT34M120J | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT34M120J Power Products Catalog | |
카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 34A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 560nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 18200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 960W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | APT34M120JMI APT34M120JMI-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT34M120J | |
관련 링크 | APT34M, APT34M120J 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | CDRH6D28NP-6R0NC | 6µH Shielded Inductor 2.25A 35 mOhm Max Nonstandard | CDRH6D28NP-6R0NC.pdf | |
![]() | WP422 | WP422 CHINA SMD or Through Hole | WP422.pdf | |
![]() | R1170H171A-T1 | R1170H171A-T1 RICOH SOT89-5 | R1170H171A-T1.pdf | |
![]() | EPF10K100ABI600-1N | EPF10K100ABI600-1N ALTERA BGA | EPF10K100ABI600-1N.pdf | |
![]() | MAE25003 | MAE25003 ORIGINAL N A | MAE25003.pdf | |
![]() | MBR2090CTPBF | MBR2090CTPBF IR SMD or Through Hole | MBR2090CTPBF.pdf | |
![]() | 1B241B | 1B241B SANYO SOT-23 | 1B241B.pdf | |
![]() | FQD17N08LTM-NL | FQD17N08LTM-NL FAIRCHILD SMD or Through Hole | FQD17N08LTM-NL.pdf | |
![]() | FHZ5V6-XE | FHZ5V6-XE ORIGINAL LL34 | FHZ5V6-XE.pdf | |
![]() | AS1207 | AS1207 FAIRCHIL SOP-7 | AS1207.pdf | |
![]() | 1N826-1 | 1N826-1 MICROSEMI SMD | 1N826-1.pdf | |
![]() | G3TB-1-12V | G3TB-1-12V OMRON DIP-SOP | G3TB-1-12V.pdf |