창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT34F60BG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT34F60(B,S) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 34A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 210m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 165nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6640pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 624W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT34F60BG | |
| 관련 링크 | APT34F, APT34F60BG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | IMC1210SZR68K | 680nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 600 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210SZR68K.pdf | |
![]() | CRCW25121R30JNEG | RES SMD 1.3 OHM 5% 1W 2512 | CRCW25121R30JNEG.pdf | |
![]() | RT1206CRD071R62L | RES SMD 1.62 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRD071R62L.pdf | |
![]() | 1562AW1M | 1562AW1M ON SOP-16 | 1562AW1M.pdf | |
![]() | CHS-01A | CHS-01A ORIGINAL SMD or Through Hole | CHS-01A.pdf | |
![]() | MB90062PF | MB90062PF FUJ SOP-24 | MB90062PF.pdf | |
![]() | 54765-0406 | 54765-0406 MOLEX SMD or Through Hole | 54765-0406.pdf | |
![]() | PZU7.5B2L | PZU7.5B2L NXP SMD or Through Hole | PZU7.5B2L.pdf | |
![]() | BYV96E.133 | BYV96E.133 NXP/PH SMD or Through Hole | BYV96E.133.pdf | |
![]() | NMC0603NPO680G50TRPF | NMC0603NPO680G50TRPF NIC SMD | NMC0603NPO680G50TRPF.pdf | |
![]() | LT1210-1R2J-N | LT1210-1R2J-N YAGEO SMD | LT1210-1R2J-N.pdf |