창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT33N90JCU3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT33N90JCU3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 트레이 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 26A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 3mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6800pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 290W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT33N90JCU3 | |
| 관련 링크 | APT33N9, APT33N90JCU3 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ABL-32.000MHZ-B2 | 32MHz ±20ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ABL-32.000MHZ-B2.pdf | |
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![]() | S22MD3 | S22MD3 SHARP DIP-6 | S22MD3.pdf | |
![]() | RN50C7872FB14 | RN50C7872FB14 VISHAY SMD or Through Hole | RN50C7872FB14.pdf | |
![]() | SS3J | SS3J EIC DO-214AB | SS3J.pdf | |
![]() | VER508A | VER508A ORIGINAL SOP | VER508A.pdf | |
![]() | EP2C8F256CXNA | EP2C8F256CXNA ALTERA BGA | EP2C8F256CXNA.pdf | |
![]() | MA305A271KAA | MA305A271KAA AVX AxialLeads | MA305A271KAA.pdf | |
![]() | B39182-B9402-K610S1 | B39182-B9402-K610S1 EPCOS SMD or Through Hole | B39182-B9402-K610S1.pdf | |
![]() | 4.91G | 4.91G kyoceRa SMD or Through Hole | 4.91G.pdf | |
![]() | K4D263238I-GC50T | K4D263238I-GC50T Samsung FBGA144 | K4D263238I-GC50T.pdf |