창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT33N90JCCU2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT33N90JCCU2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 26A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 3mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6800pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 290W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT33N90JCCU2 | |
| 관련 링크 | APT33N9, APT33N90JCCU2 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ERA-3AEB2432V | RES SMD 24.3KOHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3AEB2432V.pdf | |
![]() | QS3257SIG | QS3257SIG IDT SOP16 | QS3257SIG.pdf | |
![]() | P8049AH/8716 | P8049AH/8716 intel DIP42 | P8049AH/8716.pdf | |
![]() | IRFML2502TRPBF | IRFML2502TRPBF IR SOT-23 | IRFML2502TRPBF.pdf | |
![]() | 550620A2 | 550620A2 MAGNETICS SMD or Through Hole | 550620A2.pdf | |
![]() | B290A | B290A WEITRON SMD or Through Hole | B290A.pdf | |
![]() | XCV1000E-7BG728C-L | XCV1000E-7BG728C-L XILINX BGA | XCV1000E-7BG728C-L.pdf | |
![]() | AS2431CB3VSM | AS2431CB3VSM ASTEC SMD or Through Hole | AS2431CB3VSM.pdf | |
![]() | 0.8055C473JRT2A | 0.8055C473JRT2A AVX SMD or Through Hole | 0.8055C473JRT2A.pdf | |
![]() | GVT71128E36T-7T | GVT71128E36T-7T GAL SMD or Through Hole | GVT71128E36T-7T.pdf | |
![]() | GD16555B-EF | GD16555B-EF INTEL SMD or Through Hole | GD16555B-EF.pdf |