창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT33N90JCCU2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT33N90JCCU2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 26A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 3mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6800pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 290W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT33N90JCCU2 | |
| 관련 링크 | APT33N9, APT33N90JCCU2 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 102S42E200FV4E | 20pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 102S42E200FV4E.pdf | |
![]() | TD6383Z | TD6383Z ORIGINAL ZIP | TD6383Z.pdf | |
![]() | M27C1001-12B1FZ | M27C1001-12B1FZ ST DIP-32 | M27C1001-12B1FZ.pdf | |
![]() | BMB-1J-1000L-N2 | BMB-1J-1000L-N2 TYCO O6O3 | BMB-1J-1000L-N2.pdf | |
![]() | MCR101L-6 TO-92 | MCR101L-6 TO-92 UTC TO92 | MCR101L-6 TO-92.pdf | |
![]() | MN13811SL | MN13811SL PANASONIC SMD or Through Hole | MN13811SL.pdf | |
![]() | SNB-3735-SS | SNB-3735-SS BUD SMD or Through Hole | SNB-3735-SS.pdf | |
![]() | CY7C1357A-100BGC | CY7C1357A-100BGC CYPRESS BGA | CY7C1357A-100BGC.pdf | |
![]() | A1270-O | A1270-O KEC SOT-23 | A1270-O.pdf | |
![]() | GH-1C-24D | GH-1C-24D GOLDEN DIP | GH-1C-24D.pdf | |
![]() | LTV-702V-DG | LTV-702V-DG LITEON SMD or Through Hole | LTV-702V-DG.pdf | |
![]() | 524372272 | 524372272 MOLEX SMD or Through Hole | 524372272.pdf |