창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT30N60BC6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT30N60(B,S)C6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 14.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 960µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 88nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2267pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 219W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT30N60BC6 | |
관련 링크 | APT30N, APT30N60BC6 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 02013J1R4ABSTR | 1.4pF Thin Film Capacitor 25V 0201 (0603 Metric) 0.024" L x 0.013" W (0.60mm x 0.33mm) | 02013J1R4ABSTR.pdf | |
![]() | 9B-10.000MEEJ-B | 10MHz ±10ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | 9B-10.000MEEJ-B.pdf | |
![]() | RT0805WRE073K4L | RES SMD 3.4K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRE073K4L.pdf | |
![]() | LC864512-5G17 | LC864512-5G17 SANYO DIP52 | LC864512-5G17.pdf | |
![]() | RMCF1/1627.4K1%R | RMCF1/1627.4K1%R SEI ROHS | RMCF1/1627.4K1%R.pdf | |
![]() | AR3508 | AR3508 SEP BUTTION | AR3508.pdf | |
![]() | M150XN07V9 | M150XN07V9 AUO SMD or Through Hole | M150XN07V9.pdf | |
![]() | PW6028T 6R0M | PW6028T 6R0M ORIGINAL SMD or Through Hole | PW6028T 6R0M.pdf | |
![]() | UPD16430DGF-3B9-A | UPD16430DGF-3B9-A NEC SMD or Through Hole | UPD16430DGF-3B9-A.pdf | |
![]() | FW340 | FW340 ORIGINAL SO-8 | FW340.pdf | |
![]() | WD90C23-MR | WD90C23-MR ORIGINAL SMD or Through Hole | WD90C23-MR.pdf | |
![]() | LTJC LT1949EMS8 | LTJC LT1949EMS8 LINEAR MSOP-8 | LTJC LT1949EMS8.pdf |