창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT30M70BVFRG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Power Products Catalog APT30M70(B,S)VR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS V® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 48A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 225nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5870pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 370W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT30M70BVFRG | |
| 관련 링크 | APT30M7, APT30M70BVFRG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | RT2512CKB0768R1L | RES SMD 68.1 OHM 0.25% 3/4W 2512 | RT2512CKB0768R1L.pdf | |
![]() | Y008833K2000F0L | RES 33.2K OHM 0.6W 1% RADIAL | Y008833K2000F0L.pdf | |
![]() | 644389-2 | 644389-2 AMP SMD or Through Hole | 644389-2.pdf | |
![]() | 03N03LA | 03N03LA Infineon SMD or Through Hole | 03N03LA.pdf | |
![]() | ADC1034CCJ | ADC1034CCJ NS DIP | ADC1034CCJ.pdf | |
![]() | LAN02TBR22K | LAN02TBR22K TAIYO DIP | LAN02TBR22K.pdf | |
![]() | 112RKI60 | 112RKI60 IR SMD or Through Hole | 112RKI60.pdf | |
![]() | NJU7018R | NJU7018R JRC SSMD | NJU7018R.pdf | |
![]() | LTV-817X-NDG | LTV-817X-NDG LITEON DIP | LTV-817X-NDG.pdf | |
![]() | AXK700347 | AXK700347 NAIS PCS | AXK700347.pdf | |
![]() | CSB126-1 | CSB126-1 ON TO-263-7 | CSB126-1.pdf |