창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT30M70BVFRG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Power Products Catalog APT30M70(B,S)VR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS V® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 48A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 225nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5870pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 370W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT30M70BVFRG | |
| 관련 링크 | APT30M7, APT30M70BVFRG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ASTMHTD-32.000MHZ-XJ-E-T3 | 32MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-32.000MHZ-XJ-E-T3.pdf | |
![]() | MP4-1Y-1Y-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP4-1Y-1Y-00.pdf | |
![]() | 103-271KS | 270nH Unshielded Inductor 650mA 230 mOhm Max 2-SMD | 103-271KS.pdf | |
![]() | MRS25000C1918FRP00 | RES 1.91 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C1918FRP00.pdf | |
![]() | WS8M47R0J | RES 47 OHM 8W 5% AXIAL | WS8M47R0J.pdf | |
![]() | IRU521G | IRU521G IR SOP-8 | IRU521G.pdf | |
![]() | HEF4046BT-03+ | HEF4046BT-03+ PHI SMD or Through Hole | HEF4046BT-03+.pdf | |
![]() | SEMIX503GB126HDS | SEMIX503GB126HDS SEMIKRON SMD or Through Hole | SEMIX503GB126HDS.pdf | |
![]() | 15KE9.1CA | 15KE9.1CA VISHAY/RECTRON DO201-AE | 15KE9.1CA.pdf | |
![]() | LA74601FN-TLM-E | LA74601FN-TLM-E SANYO QFN | LA74601FN-TLM-E.pdf | |
![]() | GF-GO6600-N-A2 | GF-GO6600-N-A2 NVIDIA BGA | GF-GO6600-N-A2.pdf | |
![]() | TI51123 | TI51123 ORIGINAL SMD or Through Hole | TI51123.pdf |