창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT30M60J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT30M60J Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 21A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 215nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5890pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 355W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT30M60J | |
| 관련 링크 | APT30, APT30M60J 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
|  | ETQ-P5M470YFK | 48µH Shielded Wirewound Inductor 3.4A 138 mOhm Max Nonstandard | ETQ-P5M470YFK.pdf | |
| .jpg) | RT1210CRB07309RL | RES SMD 309 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRB07309RL.pdf | |
|  | 1230-015D-3S | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Differential Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Dual 0 mV ~ 100 mV 8-DIP Module | 1230-015D-3S.pdf | |
|  | 216XJBKA12FG M76 XT-M | 216XJBKA12FG M76 XT-M ATI SMD or Through Hole | 216XJBKA12FG M76 XT-M.pdf | |
|  | 2SK301-R | 2SK301-R PANASONIC TO92 | 2SK301-R.pdf | |
|  | 71PL193HB08AW1Q | 71PL193HB08AW1Q ORIGINAL BGA | 71PL193HB08AW1Q.pdf | |
|  | GB5B120KD | GB5B120KD IR TO-220 | GB5B120KD.pdf | |
|  | U30C10,U30C15,U30C20,U10A05 | U30C10,U30C15,U30C20,U10A05 MOSPEC SMD or Through Hole | U30C10,U30C15,U30C20,U10A05.pdf | |
|  | TPL8107 | TPL8107 TOSHIBA SOP8 | TPL8107.pdf | |
|  | HS4-3 | HS4-3 ORIGINAL SMD or Through Hole | HS4-3.pdf | |
|  | 85HFL120 | 85HFL120 IR DO-5 | 85HFL120.pdf |