창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT30D20B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | APT30D20B | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | APT30D20B | |
| 관련 링크 | APT30, APT30D20B 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MXO46-5C-53M203425 | 53.203425MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator 5V 60mA | MXO46-5C-53M203425.pdf | |
![]() | PAT0603E3570BST1 | RES SMD 357 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E3570BST1.pdf | |
![]() | A114G | A114G analogic SOT23-6 | A114G.pdf | |
![]() | MC10EP08D- | MC10EP08D- NULL NA | MC10EP08D-.pdf | |
![]() | M2509-2BM | M2509-2BM MIC SOP8 | M2509-2BM.pdf | |
![]() | M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI | M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI Samsung SMD or Through Hole | M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI.pdf | |
![]() | G494SD | G494SD GTM SOT-23 | G494SD.pdf | |
![]() | PFU5B | PFU5B N/Y CN8in | PFU5B.pdf | |
![]() | XLF6G10LS-200 | XLF6G10LS-200 PHILIPS RFTube | XLF6G10LS-200.pdf | |
![]() | THMSC35FM639 | THMSC35FM639 PND SMD or Through Hole | THMSC35FM639.pdf | |
![]() | SD161062 | SD161062 NATIONAL DIP20 | SD161062.pdf |