창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT28M120L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT28M120(B2,L) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | POWER MOS 8™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 530m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9670pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1135W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
공급 장치 패키지 | TO-264 [L] | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT28M120L | |
관련 링크 | APT28M, APT28M120L 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 251R14S7R5BV4T | 7.5pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.062" L x 0.032" W(1.57mm x 0.81mm) | 251R14S7R5BV4T.pdf | |
![]() | LMK325ABJ107MM-T | 100µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | LMK325ABJ107MM-T.pdf | |
![]() | RG1005P-2872-W-T5 | RES SMD 28.7K OHM 1/16W 0402 | RG1005P-2872-W-T5.pdf | |
![]() | 28001-9 | 28001-9 AMP DIP | 28001-9.pdf | |
![]() | MA4ST13201141TR3000 | MA4ST13201141TR3000 N/A SMD or Through Hole | MA4ST13201141TR3000.pdf | |
![]() | JTX2N3996 | JTX2N3996 MSC TO | JTX2N3996.pdf | |
![]() | KS24C081C(S524C80D81-DCB0) | KS24C081C(S524C80D81-DCB0) SAMSUNG IC | KS24C081C(S524C80D81-DCB0).pdf | |
![]() | 300V1000UF | 300V1000UF VISHAY 35X50 | 300V1000UF.pdf | |
![]() | LT6230CS6-10 TEL:82766440 | LT6230CS6-10 TEL:82766440 LT SMD or Through Hole | LT6230CS6-10 TEL:82766440.pdf | |
![]() | 2SB600 | 2SB600 NEC SMD or Through Hole | 2SB600.pdf | |
![]() | KZH16VB332M12X30LL | KZH16VB332M12X30LL UnitedCHEMI-CON DIP-2 | KZH16VB332M12X30LL.pdf |