창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT26M100JCU2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT26M100JCU2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 396m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 305nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7868pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 543W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT26M100JCU2 | |
| 관련 링크 | APT26M1, APT26M100JCU2 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | AQV414HA | Solid State Relay SPST-NC (1 Form B) 6-SMD (0.300", 7.62mm) | AQV414HA.pdf | |
![]() | AT24C08A-10PU-2.7 DIP | AT24C08A-10PU-2.7 DIP AT DIP | AT24C08A-10PU-2.7 DIP.pdf | |
![]() | 636PCE 5.0000MC0:ROHS | 636PCE 5.0000MC0:ROHS Epson SMD | 636PCE 5.0000MC0:ROHS.pdf | |
![]() | RCT06100JTP | RCT06100JTP ORIGINAL 1206 | RCT06100JTP.pdf | |
![]() | ISL36921R-TK | ISL36921R-TK INTERSIL SMD or Through Hole | ISL36921R-TK.pdf | |
![]() | PAC04-03 | PAC04-03 ORIGINAL SMD or Through Hole | PAC04-03.pdf | |
![]() | TSW-10C-1-11B-T10 | TSW-10C-1-11B-T10 ORIGINAL SMD or Through Hole | TSW-10C-1-11B-T10.pdf | |
![]() | PALCF22V10H-15JC/4 | PALCF22V10H-15JC/4 AMS PLCC | PALCF22V10H-15JC/4.pdf | |
![]() | NIM2162M | NIM2162M JRC SO-8 | NIM2162M.pdf | |
![]() | D65802GDE37 | D65802GDE37 NEC QFP | D65802GDE37.pdf | |
![]() | 39218UN-CU00 | 39218UN-CU00 PARALIGBT SMD or Through Hole | 39218UN-CU00.pdf | |
![]() | S-93C66BD0I-T8T1 | S-93C66BD0I-T8T1 SEIKO TSSOP8 | S-93C66BD0I-T8T1.pdf |