창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT24M80B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT24M80B/S Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 390m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4595pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 625W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT24M80B | |
| 관련 링크 | APT24, APT24M80B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 150823J100BB | 0.082µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Axial 0.236" Dia x 0.650" L (6.00mm x 16.50mm) | 150823J100BB.pdf | |
![]() | IRFP4668PBF | MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC | IRFP4668PBF.pdf | |
![]() | TK32A12N1,S4X | MOSFET N-CH 120V 32A TO-220 | TK32A12N1,S4X.pdf | |
![]() | SP2-DC6V | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 6VDC Coil Socketable | SP2-DC6V.pdf | |
![]() | EAJ-560VSN272MP40S | EAJ-560VSN272MP40S NIPPON DIP | EAJ-560VSN272MP40S.pdf | |
![]() | PMB5706A1 | PMB5706A1 INFINEON BGA | PMB5706A1.pdf | |
![]() | GDZJ13A(26mm) | GDZJ13A(26mm) GRANDE SMD or Through Hole | GDZJ13A(26mm).pdf | |
![]() | SC80C31BGN40 | SC80C31BGN40 PHI DIP-40 | SC80C31BGN40.pdf | |
![]() | K7I163682B-EC25 | K7I163682B-EC25 SAMSUNG BGA | K7I163682B-EC25.pdf | |
![]() | PAL22V10CE-7JC | PAL22V10CE-7JC AMD PLCC28 | PAL22V10CE-7JC.pdf | |
![]() | MJE721 | MJE721 ONMOTST TO | MJE721.pdf | |
![]() | CL05F104ZONC | CL05F104ZONC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL05F104ZONC.pdf |