창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT20M22B2VRG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT20M22B2VR Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS V® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 435nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 520W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
| 공급 장치 패키지 | T-MAX™ [B2] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT20M22B2VRG | |
| 관련 링크 | APT20M2, APT20M22B2VRG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | BZT03C12-TR | TVS DIODE 10VWM 17VC SOD57 | BZT03C12-TR.pdf | |
![]() | 614-43U-6A2 | 614-43U-6A2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 614-43U-6A2.pdf | |
![]() | SPX1117 1.2 | SPX1117 1.2 ORIGINAL SOT223 | SPX1117 1.2.pdf | |
![]() | 1206223K 200V | 1206223K 200V AVX SMD or Through Hole | 1206223K 200V.pdf | |
![]() | PF38F3050M0Y3QE | PF38F3050M0Y3QE INTEL BGA | PF38F3050M0Y3QE.pdf | |
![]() | LE75181CSCT | LE75181CSCT LEGERITY SOP | LE75181CSCT.pdf | |
![]() | AP6256A-18NHFGA | AP6256A-18NHFGA ANSC SOT23-5 | AP6256A-18NHFGA.pdf | |
![]() | LVS201610-2R2T-N | LVS201610-2R2T-N CHILISIN SMD or Through Hole | LVS201610-2R2T-N.pdf | |
![]() | HC5515IP | HC5515IP HARRIS DIP-22L | HC5515IP.pdf | |
![]() | DTORF9SMPD233B | DTORF9SMPD233B PHI SMD or Through Hole | DTORF9SMPD233B.pdf | |
![]() | TD375N12KOF | TD375N12KOF EUPEC SMD or Through Hole | TD375N12KOF.pdf |