창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT20M22B2VFRG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT20M22B2VFR Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS V® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 435nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 520W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
| 공급 장치 패키지 | T-MAX™ [B2] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT20M22B2VFRG | |
| 관련 링크 | APT20M22, APT20M22B2VFRG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1555C1HR80WZ01D | 0.80pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1HR80WZ01D.pdf | |
![]() | 416F250X2IST | 25MHz ±15ppm 수정 시리즈 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F250X2IST.pdf | |
![]() | LC-2012-151JT | LC-2012-151JT CTC SMD | LC-2012-151JT.pdf | |
![]() | TBB202G | TBB202G BB SOP8 | TBB202G.pdf | |
![]() | 294A/B | 294A/B MM SSOP16 | 294A/B.pdf | |
![]() | 4001BT(SMDROHS2.5K/RL)D/C07 TR SMD | 4001BT(SMDROHS2.5K/RL)D/C07 TR SMD CYPRESS SMD or Through Hole | 4001BT(SMDROHS2.5K/RL)D/C07 TR SMD.pdf | |
![]() | GRM155B11E103KA01D | GRM155B11E103KA01D MURATA SMD or Through Hole | GRM155B11E103KA01D.pdf | |
![]() | C012294B-01 | C012294B-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | C012294B-01.pdf | |
![]() | B82464G4474M000 | B82464G4474M000 EPCOS SMD | B82464G4474M000.pdf | |
![]() | 75008GBE04 | 75008GBE04 NEC QFP44 | 75008GBE04.pdf | |
![]() | 68NF25VX7RK | 68NF25VX7RK AVX SMD or Through Hole | 68NF25VX7RK.pdf |