창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT20M120JCU2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT20M120JCU2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 672m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7736pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 543W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT20M120JCU2 | |
| 관련 링크 | APT20M1, APT20M120JCU2 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ABLS2-20.000MHZ-B1U-T | 20MHz ±10ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS2-20.000MHZ-B1U-T.pdf | |
![]() | CV201210-1R5K | 1.5µH Shielded Multilayer Inductor 50mA 500 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | CV201210-1R5K.pdf | |
![]() | S-1111B25MC-NYK-G | S-1111B25MC-NYK-G SEK SOT25 SOT353 | S-1111B25MC-NYK-G.pdf | |
![]() | SPP2342S23RG | SPP2342S23RG SYNCPOWER SOT-23 | SPP2342S23RG.pdf | |
![]() | XC9201D09AKRN | XC9201D09AKRN TOREX SMD or Through Hole | XC9201D09AKRN.pdf | |
![]() | Q65110A2841 | Q65110A2841 OSRAM-r LY3380-J2L1-26 | Q65110A2841.pdf | |
![]() | ELJRF47NJFN | ELJRF47NJFN PANASONIC 0402-47N | ELJRF47NJFN.pdf | |
![]() | JDV2S21FS | JDV2S21FS TOSHIBA SOD-723 | JDV2S21FS.pdf | |
![]() | 105/16V/0603/10% | 105/16V/0603/10% ORIGINAL SMD or Through Hole | 105/16V/0603/10%.pdf | |
![]() | 293D106X0050D2TE3 | 293D106X0050D2TE3 Vishay SMD or Through Hole | 293D106X0050D2TE3.pdf | |
![]() | LCK | LCK N/A SOT-23 | LCK.pdf |