창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT20M11JVFR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT20M11JVFR Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | POWER MOS V® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 175A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 21600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 700W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT20M11JVFR | |
관련 링크 | APT20M1, APT20M11JVFR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 160N1100EOB | 160N1100EOB AEG SMD or Through Hole | 160N1100EOB.pdf | |
![]() | US2J-ND | US2J-ND JXND DO-214AA(SMB) | US2J-ND.pdf | |
![]() | AACNAH | AACNAH ORIGINAL QFN-14 | AACNAH.pdf | |
![]() | TFBS4710 | TFBS4710 VISHAY SMD or Through Hole | TFBS4710.pdf | |
![]() | IRKH91/14 | IRKH91/14 IR SMD or Through Hole | IRKH91/14.pdf | |
![]() | 7000-41911-6170300 | 7000-41911-6170300 MURR SMD or Through Hole | 7000-41911-6170300.pdf | |
![]() | XRP29302E | XRP29302E EXAR TOT05A | XRP29302E.pdf | |
![]() | MLV0402ES005V0010N | MLV0402ES005V0010N AEM SMD | MLV0402ES005V0010N.pdf | |
![]() | 2SK2001 | 2SK2001 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SK2001.pdf | |
![]() | 1954637-1 | 1954637-1 TEConnectivity SMD or Through Hole | 1954637-1.pdf | |
![]() | 1095/2C | 1095/2C TI BGA | 1095/2C.pdf | |
![]() | RT8802APQVA | RT8802APQVA ORIGINAL QFN40 | RT8802APQVA.pdf |