창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT200GN60J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT200GN60J Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1628 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
| 구성 | 단일 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 283A | |
| 전력 - 최대 | 682W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 200A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 25µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 14.1nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 없음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | ISOTOP | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT200GN60JMI APT200GN60JMI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT200GN60J | |
| 관련 링크 | APT200, APT200GN60J 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 445W35K13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 8pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W35K13M00000.pdf | |
![]() | NVMFS5C404NT3G | MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL | NVMFS5C404NT3G.pdf | |
![]() | ERA-6AEB4222V | RES SMD 42.2K OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6AEB4222V.pdf | |
![]() | UPD78310AGF3BE | UPD78310AGF3BE NEC SMD or Through Hole | UPD78310AGF3BE.pdf | |
![]() | 8897CSBNG6PR4 | 8897CSBNG6PR4 TOSHIBA DIP64 | 8897CSBNG6PR4.pdf | |
![]() | PEB2086HV1.1/V1.3 | PEB2086HV1.1/V1.3 SIEMENS MQFP-80 | PEB2086HV1.1/V1.3.pdf | |
![]() | SM30B-SHLDS-TF(LF)(SN) | SM30B-SHLDS-TF(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | SM30B-SHLDS-TF(LF)(SN).pdf | |
![]() | GRM39X7R222K50C560 | GRM39X7R222K50C560 MURATA SMD0805 | GRM39X7R222K50C560.pdf | |
![]() | MJ15004 on | MJ15004 on ON TO-3 | MJ15004 on.pdf | |
![]() | 78504 | 78504 SIRENZA SOT-89 | 78504.pdf | |
![]() | TPS78328DDCR. | TPS78328DDCR. TI SMD or Through Hole | TPS78328DDCR..pdf | |
![]() | K9MCG08U5M-ZIB0 | K9MCG08U5M-ZIB0 SAMSUNG TSOP48 | K9MCG08U5M-ZIB0.pdf |