창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT17F120J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Power Products Catalog APT17F120J | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 580m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9670pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 545W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT17F120J | |
| 관련 링크 | APT17F, APT17F120J 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CP002010R00KB14 | RES 10 OHM 20W 10% AXIAL | CP002010R00KB14.pdf | |
![]() | AD5333BRU | AD5333BRU AD TSSOP24 | AD5333BRU.pdf | |
![]() | MT62A31D9HJS | MT62A31D9HJS MTC BGA | MT62A31D9HJS.pdf | |
![]() | R1130H181B | R1130H181B RICOH SOT-89-5 | R1130H181B.pdf | |
![]() | C1005X7R1H475KT | C1005X7R1H475KT TDK SMD or Through Hole | C1005X7R1H475KT.pdf | |
![]() | ADDS-218X-ICE | ADDS-218X-ICE ADI SMD or Through Hole | ADDS-218X-ICE.pdf | |
![]() | 5109735W01SCS38157FD01 | 5109735W01SCS38157FD01 MOT SMD or Through Hole | 5109735W01SCS38157FD01.pdf | |
![]() | 216MS2BFA22H(IGP34 | 216MS2BFA22H(IGP34 ATI BGA | 216MS2BFA22H(IGP34.pdf | |
![]() | 2N7002EDW1T1G | 2N7002EDW1T1G LRC SOT-363 | 2N7002EDW1T1G.pdf | |
![]() | IPF9230 | IPF9230 IR TO-3 | IPF9230.pdf | |
![]() | MST67889ELD-LF | MST67889ELD-LF MSTAR SMD or Through Hole | MST67889ELD-LF.pdf |