창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT14F100B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Power Products Catalog APT14F100(B,S) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 980m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3965pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 500W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT14F100B | |
| 관련 링크 | APT14F, APT14F100B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | DSC1001AE1-066.6660 | 66.666MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) | DSC1001AE1-066.6660.pdf | |
| AOD4128 | MOSFET N-CH 25V 60A TO252 | AOD4128.pdf | ||
![]() | B88069X7200B502 | B88069X7200B502 EPCOS SMD or Through Hole | B88069X7200B502.pdf | |
![]() | KL32LTE1R2J | KL32LTE1R2J ORIGINAL 3225 | KL32LTE1R2J.pdf | |
![]() | C23488 | C23488 INIAE BGA | C23488.pdf | |
![]() | LMT5107C | LMT5107C NS TSSOP20 | LMT5107C.pdf | |
![]() | TS193 | TS193 ORIGINAL USP-6B | TS193.pdf | |
![]() | S-8520B28MC | S-8520B28MC SEIKO SMD or Through Hole | S-8520B28MC.pdf | |
![]() | MGC2A250VM | MGC2A250VM WALTER SMD or Through Hole | MGC2A250VM.pdf | |
![]() | DF15(3.2)-50DP-0.65V | DF15(3.2)-50DP-0.65V Hirose SMD | DF15(3.2)-50DP-0.65V.pdf | |
![]() | 0100J22400000400 | 0100J22400000400 NISSEI 2512 | 0100J22400000400.pdf | |
![]() | NLV32T-4R7J | NLV32T-4R7J TDK SMD | NLV32T-4R7J.pdf |