창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT12F60K | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT12F60K Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 620m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 500µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 225W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 [K] | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | APT12F60KMI APT12F60KMI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT12F60K | |
| 관련 링크 | APT12, APT12F60K 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
|  | SIT3907AC-22-33NE-24.000000T | OSC XO 3.3V 24MHZ | SIT3907AC-22-33NE-24.000000T.pdf | |
|  | X3C35F1-05S | COUPLER HYBRID 3300-3800MHZ | X3C35F1-05S.pdf | |
|  | LD7550A | LD7550A LD DIP8 | LD7550A.pdf | |
|  | RT9167A-33GB RT9167 | RT9167A-33GB RT9167 ORIGINAL SOT23-5 | RT9167A-33GB RT9167.pdf | |
|  | CD4049UBM | CD4049UBM HARRIS SMD or Through Hole | CD4049UBM.pdf | |
|  | ADV7180WBSTZ | ADV7180WBSTZ AD SMD or Through Hole | ADV7180WBSTZ.pdf | |
|  | 30055230 | 30055230 JDSU SMD or Through Hole | 30055230.pdf | |
|  | TC4017BP(N,F) | TC4017BP(N,F) Toshiba DIP-16 | TC4017BP(N,F).pdf | |
|  | P21464-15 | P21464-15 ORIGINAL DIP-18 | P21464-15.pdf | |
|  | 4AM1 | 4AM1 ORIGINAL SIP | 4AM1.pdf | |
|  | 118777-HMC720LP3E | 118777-HMC720LP3E HITTITE SMD or Through Hole | 118777-HMC720LP3E.pdf |