창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT12057B2FLLG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT12057(B2,L)FLL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 7® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 570m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 185nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5155pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 690W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
| 공급 장치 패키지 | T-MAX™ [B2] | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT12057B2FLLG | |
| 관련 링크 | APT12057, APT12057B2FLLG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 416F38025AST | 38MHz ±20ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38025AST.pdf | |
![]() | G3VM-401DY1 | MOS FET RELAY | G3VM-401DY1.pdf | |
![]() | HA118211BF | HA118211BF HITACHI QFP | HA118211BF.pdf | |
![]() | SX-10WAG-BBNL | SX-10WAG-BBNL ORIGINAL SMD or Through Hole | SX-10WAG-BBNL.pdf | |
![]() | 1206B101K202CT | 1206B101K202CT WALSIN 1206 | 1206B101K202CT.pdf | |
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![]() | MRF21085LR3 | MRF21085LR3 FREESCALE 60W 2GHZ 28V NI780LS | MRF21085LR3.pdf | |
![]() | SMJ-06BS | SMJ-06BS ORIGINAL SMD or Through Hole | SMJ-06BS.pdf | |
![]() | UC5630MWP | UC5630MWP UC SMD | UC5630MWP.pdf | |
![]() | 216Q7CGBGA13 7500 | 216Q7CGBGA13 7500 ATI BGA | 216Q7CGBGA13 7500.pdf | |
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