창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT1201R4BFLLG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT1201R4(B,S)FLL Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | POWER MOS 7® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2030pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT1201R4BFLLG | |
관련 링크 | APT1201R, APT1201R4BFLLG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 416F40013CDR | 40MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40013CDR.pdf | |
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![]() | ECOS2AA122BB | ECOS2AA122BB PANASONIC DIP | ECOS2AA122BB.pdf | |
![]() | BH7873F-E2 | BH7873F-E2 ROHM TSSOP-20 | BH7873F-E2.pdf | |
![]() | MGA-53543-TR1 | MGA-53543-TR1 Agilent SMD or Through Hole | MGA-53543-TR1.pdf | |
![]() | 2SK1772HYTL SOT89-HY5 PB-FREE P | 2SK1772HYTL SOT89-HY5 PB-FREE P RENESAS SMD or Through Hole | 2SK1772HYTL SOT89-HY5 PB-FREE P.pdf | |
![]() | 3.5 8 | 3.5 8 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3.5 8.pdf | |
![]() | TR/3216FA-2.5A | TR/3216FA-2.5A COOPER SOD-123 1206 | TR/3216FA-2.5A.pdf | |
![]() | EMVH100GTR332MMH0S | EMVH100GTR332MMH0S Chemi-con NA | EMVH100GTR332MMH0S.pdf | |
![]() | TEMSVB0J156M12L | TEMSVB0J156M12L NEC SMD or Through Hole | TEMSVB0J156M12L.pdf |