창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT11N80BC3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT11N80BC3 Power Products Catalog | |
카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 450m옴 @ 7.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 680µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1585pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 156W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | APT11N80BC3GMI APT11N80BC3GMI-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT11N80BC3G | |
관련 링크 | APT11N8, APT11N80BC3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
2SC5706-TL-H | TRANS NPN 50V 5A TP-FA | 2SC5706-TL-H.pdf | ||
CMF55237R00FHEA | RES 237 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55237R00FHEA.pdf | ||
CMF60698K00DHBF | RES 698K OHM 1W 0.5% AXIAL | CMF60698K00DHBF.pdf | ||
ADF7010BRUZ-REEL7 | ADF7010BRUZ-REEL7 ORIGINAL TSSOP | ADF7010BRUZ-REEL7.pdf | ||
BL171 | BL171 TI SSOP20 | BL171.pdf | ||
VN35ABA | VN35ABA Vishay CAN | VN35ABA.pdf | ||
AD825AD-REEL | AD825AD-REEL AD SOP | AD825AD-REEL.pdf | ||
SPL146-0R8 | SPL146-0R8 DELTA SMD or Through Hole | SPL146-0R8.pdf | ||
RC0805FR-076K8 | RC0805FR-076K8 Yageo SMD or Through Hole | RC0805FR-076K8.pdf | ||
MBM29DL640E70TN-LEI | MBM29DL640E70TN-LEI FUJITSU TSOP-48 | MBM29DL640E70TN-LEI.pdf | ||
CWT12AAS1/U | CWT12AAS1/U ORIGINAL SMD or Through Hole | CWT12AAS1/U.pdf |