창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT11N80BC3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT11N80BC3 Power Products Catalog | |
카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 450m옴 @ 7.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 680µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1585pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 156W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | APT11N80BC3GMI APT11N80BC3GMI-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT11N80BC3G | |
관련 링크 | APT11N8, APT11N80BC3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | BC807-40LT1 | TRANS PNP 45V 0.5A SOT23 | BC807-40LT1.pdf | |
![]() | UNR411E00A | TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 | UNR411E00A.pdf | |
![]() | Y1626590R000Q13W | RES SMD 590 OHM 0.02% 0.3W 1506 | Y1626590R000Q13W.pdf | |
![]() | MBB02070C8259FC100 | RES 82.5 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C8259FC100.pdf | |
![]() | Y0089249R990TR0L | RES 249.99 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y0089249R990TR0L.pdf | |
![]() | CT3353-10 | RF Attenuator 10dB ±0.75dB 0Hz ~ 12.4GHz 50 Ohm 500W Coaxial, Metal Can | CT3353-10.pdf | |
![]() | 6TQ040 | 6TQ040 IR TO-220-2 | 6TQ040.pdf | |
![]() | 20D-1C10N1-01 | 20D-1C10N1-01 OK SMD or Through Hole | 20D-1C10N1-01.pdf | |
![]() | TLP668JS-F | TLP668JS-F TOSHIBA DIP-5 | TLP668JS-F.pdf | |
![]() | DA03 | DA03 NS DIP | DA03.pdf | |
![]() | L4501DW1T1 | L4501DW1T1 LRC SOT-363 | L4501DW1T1.pdf | |
![]() | BCX70-JTF | BCX70-JTF SAMSUNG AJ 23 | BCX70-JTF.pdf |