Microsemi Corporation APT10M11JVRU3
- 제조업체 부품 번호
- APT10M11JVRU3
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
APT10M11JVRU3 가격 및 조달
가능 수량
8578 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 34,096.94200
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 APT10M11JVRU3 재고가 있습니다. 우리는 Microsemi Corporation 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Microsemi Corporation 전자 부품 전문. APT10M11JVRU3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. APT10M11JVRU3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- APT10M11JVRU3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
APT10M11JVRU3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APT10M11JVRU3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT10M11JVRU3 Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 142A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 71A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 450W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT10M11JVRU3MI APT10M11JVRU3MI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT10M11JVRU3 | |
| 관련 링크 | APT10M1, APT10M11JVRU3 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
APT10M11JVRU3 의 관련 제품
 | W3A4YC332MAT2A | 3300pF Isolated Capacitor 4 Array 16V X7R 0612 (1632 Metric) 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm) | W3A4YC332MAT2A.pdf | |
 | D102Z20Y5VH65L2R | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | D102Z20Y5VH65L2R.pdf | |
-Pkg.jpg) | CZRFR52C3V3-HF | DIODE ZENER 3.3V 200MW 1005 | CZRFR52C3V3-HF.pdf | |
 | BSP129E6327T | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 | BSP129E6327T.pdf | |
 | NLFV32T-4R7M-EFT | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 360mA 156 mOhm Max Nonstandard | NLFV32T-4R7M-EFT.pdf | |
| EBLS2012-R82K | EBLS2012-R82K MAX SMD or Through Hole | EBLS2012-R82K.pdf | |
| MHC300A600V | MHC300A600V SanRexPak SMD or Through Hole | MHC300A600V.pdf | |
| IRF6271TR | IRF6271TR IR SOP-8 | IRF6271TR.pdf | |
| 1826-1048(OP070366Z)* | 1826-1048(OP070366Z)* AD DIP | 1826-1048(OP070366Z)*.pdf | |
| S8887 | S8887 BOTHHAND SOPDIP | S8887.pdf | |
| PC13025D | PC13025D ORIGINAL SOP | PC13025D.pdf | |
| AM29F080B-12ED | AM29F080B-12ED AMD TSOP-40 | AM29F080B-12ED.pdf |