창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT106N60B2C6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT106N60B2C6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 106A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 53A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 3.4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 308nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8390pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 833W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
| 공급 장치 패키지 | T-MAX™ [B2] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT106N60B2C6 | |
| 관련 링크 | APT106N, APT106N60B2C6 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D620FXXAJ | 62pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D620FXXAJ.pdf | |
![]() | 6120D-1 3-4E | MOUNTING HARDWARE | 6120D-1 3-4E.pdf | |
![]() | CCR75CG331JR | CCR75CG331JR AVX DIP | CCR75CG331JR.pdf | |
![]() | 9337 | 9337 TRESIN DIP8 | 9337.pdf | |
![]() | 441500034 | 441500034 MOLEX SOP | 441500034.pdf | |
![]() | LMR24220 | LMR24220 TI SMD or Through Hole | LMR24220.pdf | |
![]() | 1428578 | 1428578 ZILOG DIP-40 | 1428578.pdf | |
![]() | SK33-A | SK33-A ORIGINAL 1808 | SK33-A.pdf | |
![]() | CD4521BF | CD4521BF TI CDIP | CD4521BF.pdf | |
![]() | OADI | OADI TI SOT23-6 | OADI.pdf | |
![]() | 2SK2747 | 2SK2747 HITACHI SOT-23 | 2SK2747.pdf |