창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT100GT60JR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT100GT60JR | |
| 카탈로그 페이지 | 1628 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | Thunderbolt IGBT® | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | NPT | |
| 구성 | 단일 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 148A | |
| 전력 - 최대 | 500W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 100A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 25µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 5.15nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 없음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | ISOTOP | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT100GT60JRMI APT100GT60JRMI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT100GT60JR | |
| 관련 링크 | APT100G, APT100GT60JR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MLB-201209-0100A-N1 | MLB-201209-0100A-N1 MAG SMD or Through Hole | MLB-201209-0100A-N1.pdf | |
![]() | REN19163/332 | REN19163/332 WELWYN SMD or Through Hole | REN19163/332.pdf | |
![]() | 163-5030-E | 163-5030-E KOBICONN/WSI SMD or Through Hole | 163-5030-E.pdf | |
![]() | 0402-1P | 0402-1P ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402-1P.pdf | |
![]() | JMS-11X | JMS-11X ORIGINAL SMD or Through Hole | JMS-11X.pdf | |
![]() | IR3910S | IR3910S IOR TO263 | IR3910S.pdf | |
![]() | HY-44503 | HY-44503 ORIGINAL SMD or Through Hole | HY-44503.pdf | |
![]() | AP3001T-ADJE1 | AP3001T-ADJE1 BCD TO-220 | AP3001T-ADJE1.pdf | |
![]() | A638AH-A025ACN=P3 | A638AH-A025ACN=P3 ORIGINAL SMD or Through Hole | A638AH-A025ACN=P3.pdf | |
![]() | PXA250A0 | PXA250A0 INTEL BGA | PXA250A0.pdf | |
![]() | ERA6YED331V | ERA6YED331V N/A SMD or Through Hole | ERA6YED331V.pdf |