창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT100GT60JR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT100GT60JR | |
| 카탈로그 페이지 | 1628 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | Thunderbolt IGBT® | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | NPT | |
| 구성 | 단일 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 148A | |
| 전력 - 최대 | 500W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 100A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 25µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 5.15nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 없음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | ISOTOP | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT100GT60JRMI APT100GT60JRMI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT100GT60JR | |
| 관련 링크 | APT100G, APT100GT60JR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | FA-238 30.0000MA-AC0 | 30MHz ±20ppm 수정 9pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238 30.0000MA-AC0.pdf | |
![]() | L100J150 | RES CHAS MNT 150 OHM 5% 100W | L100J150.pdf | |
![]() | RC0201DR-0716K2L | RES SMD 16.2KOHM 0.5% 1/20W 0201 | RC0201DR-0716K2L.pdf | |
![]() | GT40Q321 | GT40Q321 TOS TO-3P | GT40Q321 .pdf | |
![]() | K4T51163QB-GC20 | K4T51163QB-GC20 SAMSUNG BGA | K4T51163QB-GC20.pdf | |
![]() | 68A50 | 68A50 ST DIP-24 | 68A50.pdf | |
![]() | NTD3055-150-1G | NTD3055-150-1G ON DPAK 3 (SINGLE GAUGE | NTD3055-150-1G.pdf | |
![]() | uei15-050-q12p | uei15-050-q12p ORIGINAL SMD or Through Hole | uei15-050-q12p.pdf | |
![]() | EPF81188GM883B-4 | EPF81188GM883B-4 ALTERA PGA | EPF81188GM883B-4.pdf | |
![]() | MC68EZ320PU16 | MC68EZ320PU16 MOT SMD | MC68EZ320PU16.pdf | |
![]() | RH-IX2718AFZZ | RH-IX2718AFZZ SHARP SMD or Through Hole | RH-IX2718AFZZ.pdf | |
![]() | 23C64000JL | 23C64000JL NEC SOP | 23C64000JL.pdf |