창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT100GT120JR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT100GT120JR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | Thunderbolt IGBT® | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | NPT | |
| 구성 | 단일 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 123A | |
| 전력 - 최대 | 570W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 100A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 6.7nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 없음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT100GT120JR | |
| 관련 링크 | APT100G, APT100GT120JR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 08052U1R3CAT2A | 1.3pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08052U1R3CAT2A.pdf | |
![]() | ASTMHTE-66.666MHZ-XR-E | 66.666MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-66.666MHZ-XR-E.pdf | |
![]() | UU9LFHNP-HB103 | 10mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 200mA DCR 4 Ohm | UU9LFHNP-HB103.pdf | |
![]() | SS809-40GU-TR | SS809-40GU-TR SILICON SOT23 | SS809-40GU-TR.pdf | |
![]() | 54LS04/BCBJC | 54LS04/BCBJC TI DIP | 54LS04/BCBJC.pdf | |
![]() | M50731 | M50731 MIT DIP-64 | M50731.pdf | |
![]() | PSB8650HV1.3 | PSB8650HV1.3 SIEMENS QFP | PSB8650HV1.3.pdf | |
![]() | TEESVA1A107M12R | TEESVA1A107M12R ORIGINAL SMD or Through Hole | TEESVA1A107M12R.pdf | |
![]() | CAT5221WI-00-B1 | CAT5221WI-00-B1 CAT SMD or Through Hole | CAT5221WI-00-B1.pdf | |
![]() | UN0674W001S0 | UN0674W001S0 PAN BGA | UN0674W001S0.pdf | |
![]() | RMBD353 | RMBD353 PH SOT-23 | RMBD353.pdf |