창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT10021JLL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT10021JLL Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 7® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 210m옴 @ 18.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 395nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9750pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 694W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT10021JLL | |
| 관련 링크 | APT100, APT10021JLL 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 317D | 317D AZ TO-252 | 317D.pdf | |
![]() | 8121SD9V3GE | 8121SD9V3GE C&KCOMPONENTS SMD or Through Hole | 8121SD9V3GE.pdf | |
![]() | 652-XPAL-12 | 652-XPAL-12 MARATHON/KULKA SMD or Through Hole | 652-XPAL-12.pdf | |
![]() | RD6.8ES-T1 | RD6.8ES-T1 NEC SMD or Through Hole | RD6.8ES-T1.pdf | |
![]() | TC0004BP | TC0004BP ORIGINAL DIP | TC0004BP.pdf | |
![]() | K4H510838D-ZCCC | K4H510838D-ZCCC SAMSUNG BGA-60D | K4H510838D-ZCCC.pdf | |
![]() | 1N2459A | 1N2459A MSC SMD or Through Hole | 1N2459A.pdf | |
![]() | PSMN4R0-30YL T/R | PSMN4R0-30YL T/R NXP SMD or Through Hole | PSMN4R0-30YL T/R.pdf | |
![]() | S8050D/J3Y | S8050D/J3Y ORIGINAL SMD or Through Hole | S8050D/J3Y.pdf | |
![]() | 2N1421 | 2N1421 ON TO-3 | 2N1421.pdf | |
![]() | 54F373DMQB | 54F373DMQB ORIGINAL DIP | 54F373DMQB .pdf | |
![]() | MG4435 | MG4435 MG SMD or Through Hole | MG4435.pdf |