창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AP3125B1KTR-G1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AP3125B | |
| 종류 | 집적 회로(IC) | |
| 제품군 | PMIC - AC DC 컨버터, 오프라인 스위치 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 출력 분리 | 절연 | |
| 내부 스위치 | 없음 | |
| 전압 - 항복 | - | |
| 토폴로지 | 플라이 백 | |
| 전압 - 시동 | 15.8V | |
| 전압 - 공급(Vcc/Vdd) | 10 V ~ 25 V | |
| 듀티 사이클 | 75% | |
| 주파수 - 스위칭 | 65kHz | |
| 전력(와트) | - | |
| 고장 보호 | 전류 제한, 과부하, 과온, 과전압 | |
| 제어 특징 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-26 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | AP3125B1KTR-G1DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AP3125B1KTR-G1 | |
| 관련 링크 | AP3125B1, AP3125B1KTR-G1 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | RCE5C1H561J0K1H03B | 560pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) | RCE5C1H561J0K1H03B.pdf | |
![]() | C317C332K5R5CA | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.150" L x 0.120" W(3.81mm x 3.05mm) | C317C332K5R5CA.pdf | |
![]() | 416F40623IDT | 40.61MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40623IDT.pdf | |
![]() | Y0076V0058AA0L | RES NTWRK 2 RES MULT OHM RADIAL | Y0076V0058AA0L.pdf | |
![]() | CP0015270R0JE66 | RES 270 OHM 15W 5% AXIAL | CP0015270R0JE66.pdf | |
![]() | MB3887PFVERE1 | MB3887PFVERE1 FUJITSU SMD or Through Hole | MB3887PFVERE1.pdf | |
![]() | TMDXEVM5505 | TMDXEVM5505 TexasInstruments SMD or Through Hole | TMDXEVM5505.pdf | |
![]() | MB813AZ-G | MB813AZ-G FUJITSU SMD or Through Hole | MB813AZ-G.pdf | |
![]() | EEA12261MMJL | EEA12261MMJL OTHER SMD or Through Hole | EEA12261MMJL.pdf | |
![]() | KIA3844P | KIA3844P KEC DIP | KIA3844P.pdf | |
![]() | LT182181TAB | LT182181TAB LEDTECH SMD or Through Hole | LT182181TAB.pdf | |
![]() | VI-JN3-EW | VI-JN3-EW VICOR NA | VI-JN3-EW.pdf |