창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AOU1N60 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AOx1N60 TO251 Pkg Drawing | |
기타 관련 문서 | AOS Green Policy | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9옴 @ 650mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 160pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | TO-251-3 | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AOU1N60 | |
관련 링크 | AOU1, AOU1N60 데이터 시트, Alpha & Omega Semiconductor Inc. 에이전트 유통 |
![]() | SUM60030E-GE3 | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | SUM60030E-GE3.pdf | |
![]() | NTLUS3A39PZCTAG | MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6 | NTLUS3A39PZCTAG.pdf | |
![]() | RNCP1206FTD14K0 | RES SMD 14K OHM 1% 1/2W 1206 | RNCP1206FTD14K0.pdf | |
![]() | P51-200-G-T-MD-20MA-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Vented Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-200-G-T-MD-20MA-000-000.pdf | |
![]() | 0603-18.2R | 0603-18.2R ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603-18.2R.pdf | |
![]() | M5M23256-057P | M5M23256-057P MITSUBIS DIP28 | M5M23256-057P.pdf | |
![]() | 89LPC9328A | 89LPC9328A PHI PLCC-114P | 89LPC9328A.pdf | |
![]() | IRLR3303TR | IRLR3303TR IR SMD or Through Hole | IRLR3303TR.pdf | |
![]() | B25836B5147A305 | B25836B5147A305 EPCOSPTELTD DIPSOP | B25836B5147A305.pdf | |
![]() | 1N680 | 1N680 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1N680.pdf | |
![]() | M38233M4M-254FP | M38233M4M-254FP ORIGINAL QFP | M38233M4M-254FP.pdf | |
![]() | IDTQS3125SIG | IDTQS3125SIG N/A SMD or Through Hole | IDTQS3125SIG.pdf |