창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AON7408 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AON7408 DFN3x3-8L Pkg Drawing | |
기타 관련 문서 | AOS Green Policy | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta), 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 448pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerSMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 8-DFN(3x3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 785-1307-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AON7408 | |
관련 링크 | AON7, AON7408 데이터 시트, Alpha & Omega Semiconductor Inc. 에이전트 유통 |
![]() | BZX84C18-E3-18 | DIODE ZENER 18V 300MW SOT23-3 | BZX84C18-E3-18.pdf | |
![]() | CMT-8108-B | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 10A DCR 10 mOhm | CMT-8108-B.pdf | |
![]() | VFS6VD81E221U31A | LC (T-Type) EMI Filter 3rd Order Low Pass 1 Channel C = 220pF 6A Radial - 3 Leads | VFS6VD81E221U31A.pdf | |
![]() | D005B | D005B NS DFN | D005B.pdf | |
![]() | AS202-321 | AS202-321 SKYWORKS QFN | AS202-321.pdf | |
![]() | STM8S103F2U6TR | STM8S103F2U6TR ST SMD or Through Hole | STM8S103F2U6TR.pdf | |
![]() | LWA673-R1S1-34 | LWA673-R1S1-34 OSRAM SMD or Through Hole | LWA673-R1S1-34.pdf | |
![]() | HD6433642B89H | HD6433642B89H HITACHI QFP | HD6433642B89H.pdf | |
![]() | 74F574NS | 74F574NS TI 5.2mm 20 | 74F574NS.pdf | |
![]() | EVB9S12XF512E | EVB9S12XF512E FREESCALE SMD or Through Hole | EVB9S12XF512E.pdf | |
![]() | D36A17.2800ENS | D36A17.2800ENS HOSONIC SMD or Through Hole | D36A17.2800ENS.pdf |