창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AON7290 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AON7290 | |
| 기타 관련 문서 | AOS Green Policy | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta), 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.6m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2075pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 6.25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AON7290 | |
| 관련 링크 | AON7, AON7290 데이터 시트, Alpha & Omega Semiconductor Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D1R1BXCAC | 1.1pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R1BXCAC.pdf | |
![]() | FR104BL | FR104BL ORIGINAL SMD or Through Hole | FR104BL.pdf | |
![]() | TAS5132DDVR(PB FREE) | TAS5132DDVR(PB FREE) TI HTSSOP44 | TAS5132DDVR(PB FREE).pdf | |
![]() | 1730702 | 1730702 PHOEMNIX SMD or Through Hole | 1730702.pdf | |
![]() | 0201-1.78K | 0201-1.78K YOGEO// SMD or Through Hole | 0201-1.78K.pdf | |
![]() | 3MM 5MM 2x3x4 | 3MM 5MM 2x3x4 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3MM 5MM 2x3x4.pdf | |
![]() | EPM7256EQC208-3 | EPM7256EQC208-3 ATELRA QFP | EPM7256EQC208-3.pdf | |
![]() | NVS1206B150A | NVS1206B150A NIC SMD or Through Hole | NVS1206B150A.pdf | |
![]() | SAB80C517A-M/8 | SAB80C517A-M/8 SIEMENS QFP | SAB80C517A-M/8.pdf | |
![]() | R1280NS18J | R1280NS18J WESTCODE MODULE | R1280NS18J.pdf | |
![]() | 218S3EBSA12K | 218S3EBSA12K ATI BGA | 218S3EBSA12K.pdf | |
![]() | XR16C552CJ | XR16C552CJ EXAR SMD or Through Hole | XR16C552CJ.pdf |