창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AON6278 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AON6278 DFN5x6_8L_EP1_P Pkg Drawing | |
기타 관련 문서 | AOS Green Policy | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 34A(Ta), 85A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4646pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 7.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerSMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 785-1612-2 AON6278-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AON6278 | |
관련 링크 | AON6, AON6278 데이터 시트, Alpha & Omega Semiconductor Inc. 에이전트 유통 |
![]() | SIT8208AI-32-33E-54.00000Y | OSC XO 3.3V 54MHZ OE | SIT8208AI-32-33E-54.00000Y.pdf | |
![]() | MS46SR-20-785-Q2-15X-15R-NO-FP | SYSTEM | MS46SR-20-785-Q2-15X-15R-NO-FP.pdf | |
![]() | PMC103A | PMC103A ORIGINAL SIP15 | PMC103A.pdf | |
![]() | SII3114CT1176 | SII3114CT1176 SILICOM TQFP | SII3114CT1176.pdf | |
![]() | NEC 2SC4226 R25 | NEC 2SC4226 R25 ST DO-35 | NEC 2SC4226 R25.pdf | |
![]() | TMS86FS49AFG | TMS86FS49AFG ORIGINAL SMD or Through Hole | TMS86FS49AFG.pdf | |
![]() | 13t | 13t PH SOT363-6 | 13t.pdf | |
![]() | 2SB1326TV2R-T | 2SB1326TV2R-T ROHM TO-92 | 2SB1326TV2R-T.pdf | |
![]() | 1608 1R5 | 1608 1R5 ORIGINAL SOP | 1608 1R5.pdf | |
![]() | CDT660V1 | CDT660V1 ORIGINAL SMD or Through Hole | CDT660V1.pdf | |
![]() | THZ16G08 | THZ16G08 DELTA SMD or Through Hole | THZ16G08.pdf | |
![]() | BT136B-600D | BT136B-600D NXP TO-263D2PAK | BT136B-600D.pdf |