창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AON2410 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AON2410 DFN2x2B-6L Pkg Drawing | |
기타 관련 문서 | AOS Green Policy | |
주요제품 | AON24xx P-Channel and N-Channel MOSFET | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 8A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 813pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-DFN-EP(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 785-1396-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AON2410 | |
관련 링크 | AON2, AON2410 데이터 시트, Alpha & Omega Semiconductor Inc. 에이전트 유통 |
VY2330K29U2JS6UV7 | 33pF 440VAC 세라믹 커패시터 U2J 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | VY2330K29U2JS6UV7.pdf | ||
TPSW336M016R0250 | 33µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2312 (6032 Metric) 250 mOhm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | TPSW336M016R0250.pdf | ||
0ZCC0260AF2B | PTC RESTTBLE 2.6A 13.2V 1812 | 0ZCC0260AF2B.pdf | ||
SMBJ5950CE3/TR13 | DIODE ZENER 110V 2W SMBJ | SMBJ5950CE3/TR13.pdf | ||
IRFL9110TR (DJ)^ | IRFL9110TR (DJ)^ Vishay SMD or Through Hole | IRFL9110TR (DJ)^.pdf | ||
EM91450CP | EM91450CP EMC DIP | EM91450CP.pdf | ||
J2512 | J2512 SI TO-92 | J2512.pdf | ||
AIT813GCN1-G | AIT813GCN1-G AIT SMD or Through Hole | AIT813GCN1-G.pdf | ||
RG82852GM Q E29 | RG82852GM Q E29 INTEL BGA | RG82852GM Q E29.pdf | ||
9174558 | 9174558 NXP SOP28 | 9174558.pdf | ||
1/2W6V2 | 1/2W6V2 ST SMD or Through Hole | 1/2W6V2.pdf | ||
HTSICH4801EW/V1 | HTSICH4801EW/V1 NXP SMD or Through Hole | HTSICH4801EW/V1.pdf |