창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AME8800BEET-3v | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | AME8800BEET-3v | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOT-23 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | AME8800BEET-3v | |
| 관련 링크 | AME8800B, AME8800BEET-3v 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 0230.375HXW | FUSE GLASS 375MA 250VAC 2AG | 0230.375HXW.pdf | |
![]() | 416F50013CAR | 50MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50013CAR.pdf | |
![]() | IMP4-2Q0-2Q0-1L0-24-A | IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | IMP4-2Q0-2Q0-1L0-24-A.pdf | |
![]() | IC DDR2 NT5TU32M16CG-25C BGA84 | IC DDR2 NT5TU32M16CG-25C BGA84 NANYA SMD or Through Hole | IC DDR2 NT5TU32M16CG-25C BGA84.pdf | |
![]() | K4H560438C-TCA2 | K4H560438C-TCA2 Samsung IC 128Mb DDR SDRAM | K4H560438C-TCA2.pdf | |
![]() | 2SC2411KTR | 2SC2411KTR ORIGINAL SOT-23 | 2SC2411KTR.pdf | |
![]() | ZS5266 | ZS5266 ZISUN SOT23-5 | ZS5266.pdf | |
![]() | LQH3C2R2M34M00-01/TO52 | LQH3C2R2M34M00-01/TO52 ORIGINAL SMD or Through Hole | LQH3C2R2M34M00-01/TO52.pdf | |
![]() | M64100BB086 | M64100BB086 EPSON DIP | M64100BB086.pdf | |
![]() | 33635V10%D | 33635V10%D avetron SMD or Through Hole | 33635V10%D.pdf | |
![]() | ZTTCS8.00MT | ZTTCS8.00MT Murata SMD | ZTTCS8.00MT.pdf | |
![]() | ESVC0J476M | ESVC0J476M NEC SMD | ESVC0J476M.pdf |